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新型聚硅氮烷的陶瓷化及氮化硅纳米线生长机制研究

董法海1, 2,朱楠楠1, 2,张丽娟1, 2, 3,温广武1, 2

(1. 山东理工大学 材料科学与工程学院,山东 淄博 255000;2. 山东理工大学 工程陶瓷研究院,山东 淄博 255000;3. 山东理工大学 增材制造研究院,山东 淄博 255000)

摘  要:为了系统研究了丙烯酸酯改性聚硅氮烷(A-PSZ)的低温热固化行为及高温热解特性,通过40 ℃~200 ℃真空热处理结合红外光谱(FT-IR)分析,揭示了丙烯酸酯基团在固化初期(<200 ℃)通过自由基聚合主导交联反应。200 ℃时交联度达到97.5%,固化试样在氮气中1000 ℃热解后陶瓷产率高达81.7%。研究表明,A-PSZ在1450 ℃~1500 ℃热解时,β-Si3N4纳米线的生长(直径100 nm~500 nm)机制为气—固(VS)机制,XRD与TEM结果证实其晶相组成受热解温度调控:1450 ℃产物以非晶SiCN为主,1500 ℃时β-SiC、SiO2、α-Si3N4、β-Si3N4晶相共存。研究通过分子设计与工艺优化,为开发兼具高陶瓷产率及Si3N4纳米线的可控制备提供了新策略。

关键词:聚硅氮烷;SiCN陶瓷;陶瓷化;Si3N4纳米线


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2025.03.015

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