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​Ce、Al共掺杂对纳米ZnO结构和导电性能的影响

岳露露,董伟霞,包启富,李  萍,顾幸勇

(景德镇陶瓷大学,江西 景德镇 333403)

摘  要:采用简易的一步水热法制备Ce、Al共掺氧化锌导电粉体。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见吸收光谱(UV-Vis)、激光粒度分布仪、电阻仪和第一性原理(DFT)等对材料的结构和性能进行了表征与分析。实验结果表明:当Ce的掺杂量为0.4%、Al的掺杂量为1.5%时,样品呈现棒状结构,样品的粒径D50。禁带宽度和电阻率达到最小值,分别为1.176 μm、3.085 eV和13.67 Ω·m。基于DFT和UV-Vis结果可知Ce和Al的掺杂降低了禁带宽度,增加了自由载流子浓度,较小的粒径可提供更多的活性位点,更有利于自由载流子的传输。

关键词:水热法;无表面活性剂;Al、Ce共掺;纳米ZnO;电阻率


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2025.03.009

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