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氮化硅陶瓷气压烧结工艺研究

肖 飞,许壮志,薛 健,张 挽,岳 鑫
(辽宁省轻工科学研究院有限公司,辽宁 沈阳 110036)

摘 要:本文以自制氮化硅粉体为主要原料,通过高压成型、气压烧结工艺制备出致密的氮化硅陶瓷。考察了烧结温度、气体压力对氮化硅微观结构和相对密度、硬度的影响。采用XRD、SEM等测试手段对样品结构进行了表征,结果表明氮化硅气压烧结属于液相烧结,烧结温度在1400 ℃时开始出现液相,α相开始向β相转变,1600 ℃基本转变完全。在1-3 MPa范围内,提高N2压力有利于烧结致密化。在1800 ℃保温2 h、3 MPa压力下样品相对密度为99.41%,抗弯强度达960 MPa
关键词:氮化硅;气压烧结;烧结温度;气体压力

  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2019.03.019

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