张 磊，范亚蕾，黄月霞，王德强
(华东理工大学 材料科学与工程学院，上海 200237)

摘 要：采用高温固相法制备Mg²⁺掺杂YF₃ : Er³⁺，Yb³⁺材料，以增大其在激光防伪领域的发射强度。通过980 nm半导体激光器激发的上转换发射光谱，可知Mg²⁺含量为1.0mol%时，其548 nm绿光和660 nm红光强度分别是未掺杂Mg²⁺样品的1.5 倍和1.4 倍。Mg²⁺的掺杂使得晶格产生收缩，降低Er³⁺和Yb³⁺周围晶体场对称性，增大4f-4f跃迁几率。并通过X射线衍射(XRD)探讨Mg²⁺含量对晶相的影响。通过差热分析(DTA)、发射光谱、XRD、扫描电子显微镜(SEM)，对于Mg²⁺含量均为1.0mol%但不同烧结温度的样品，合成温度为940 ℃时光强、结晶度、晶粒生长较好。通过荧光寿命曲线以及发射强度与激发电流的拟合结果，探讨548 nm绿光和660 nm红光的发光机理，并分析980 nm激发YF₃：Er³⁺，Yb³⁺材料的能级跃迁过程。
关键词：YF₃；上转换；Er³⁺；掺杂