付润定¹，庄德津²，修向前¹，谢自力¹，陈 鹏¹，张 荣¹，郑有炓¹
(1.南京大学 电子科学与工程学院，江苏 南京 210093; 2.青岛铝镓光电半导体有限公司，山东 青岛 266105)

摘 要：对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征，研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等，结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光，得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜，其生长模式符合Stranski-Krastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。
关键词：AlN单晶；化学机械抛光；AlGaN；Stranski-Krastanow生长模式；应变梯度模型