常家兴，刘荣正，刘马林，邵友林，刘 兵
(清华大学核能与新能源技术研究院，先进核能技术协同创新中心，北京 100084)

摘 要：采用流化床化学气相沉积法，以甲基三氯硅烷为前躯体，二茂铁为催化剂成功制备出SiC纳米线。利用X 射线衍射仪分析产物的物相，利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察样品的显微形貌。结果表明，在1200 o
C的制备条件下，所得纳米线为立方相β-SiC，纳米线直径为50-100 nm，长度大于100 μm，具有非常高的长径比。单根纳米线具有单晶特征，生长方向为<111>方向，并存在堆垛层错。提高制备温度至1300 oC，在所制备的纳米线中，还发现了竹节状和堆垛状纳米线，表明流化床体系中复杂的沉积环境。通过连续的气体载带，可以实现SiC纳米线的连续制备，在50 mm直径的流化管中可获得2.0 g/h的产量。通过后续优化和放大，本方法具有非常好的工业化前景。
关键词：SiC；纳米线；流化床-化学气相沉积；宏量制备