程丽红¹，Slavko Bernik²，Matejka Podlogar²，郑嘹赢³,  李国荣³
(1.江西科技师范大学，江西 南昌 330038 ; 2.Jožef Stefan Institute, Slovenia; 3.中国科学院 上海硅酸盐研究所，上海 200050)

摘 要：采用传统电子陶瓷的制备工艺，制备了相同Bi₂O₃含量、Sb₂O₃/Bi₂O₃比分别为0.25、0.50的ZnO-Bi₂O₃基压敏陶瓷，研究在800 ℃-950 ℃区间内一步烧结与两步烧结制度对陶瓷的显微结构与电性能的影响。显微结构分析表明，烧结过程中足够的Bi₂O₃液相有利于烧结，而且能够促进晶粒内含反演边界(Inversion Boundary)的ZnO晶粒的长大。烧成的样品具有发育良好的显微结构：高的致密度、均匀的含Bi第二相分布以及粒径，而且电性能良好：压敏电压327-670 V/mm，非线性系数20-31，漏电流低于0.5 μA。Sb₂O₃含量较高的样品，晶粒尺寸较小，压敏电压和非线性系数较大，漏电流较小。研究还发现，ZnO晶粒尺寸以受两步烧结制度里占主要的烧结过程的影响为主。研究结果表明：与传统的1000 ℃以上烧结相比，合理的配方是保证在800 ℃-950 ℃区间内烧结获得综合性能良好的压敏陶瓷样品的关键。
关键词: ZnO；压敏；显微结构；电性能