谭广繁¹，胡 庆¹，江伟辉^{1, 2}，刘健敏²，冯 果²，陈 婷²，吴 倩²
（1.景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院，江西 景德镇 333403；2.国家日用及建筑陶瓷工程中心，江西 景德镇 333001）

摘 要：以四氯化锆(ZrCl₄)和正硅酸乙酯(TEOS)分别为锆源和硅源，采用非水解溶胶-凝胶法结合浸渍-提拉镀膜工艺在碳化硅(SiC)表面制备出抗氧化硅酸锆(ZrSiO₄)薄膜。采用XRD、SEM分析测试手段研究了前驱体浓度、镀膜次数、四丁基溴化铵(TBAB)对ZrSiO₄薄膜形貌和薄膜厚度的影响。结果表明：当前驱体浓度为0.6 mol/L，4次镀膜，加入7wt.%的TBAB，可以在SiC基底上制备出表面光滑、致密、无开裂，膜厚约为300 nm的ZrSiO₄薄膜。该薄膜在1450 ℃具有良好的高温抗氧化性能。
关键词：硅酸锆；薄膜；非水解溶胶-凝胶法；抗氧化