赵 林1,于美玲1,魏红康1,谢志鹏1, 2, 汪长安1, 2
(1.景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景德镇 333403; 2. 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084)
摘 要:以聚乙二醇和聚乙烯吡咯烷酮为分散剂对氮化硼晶须进行分散,采用气压烧结工艺分别制备了BNp/Si3N4和BNw/Si3N4复合透波材料。借助光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和矢量网络分析仪等仪器分别对氮化硼晶须的分散效果以及两种复合材料的微观形貌、物相组成和介电常数等性能进行分析。结果表明:当聚乙烯吡咯烷酮的含量为1wt.%时,氮化硼晶须可以得到良好的分散。当BN含量为10vol.%时,BNw/Si3N4比BNp/Si3N4复合透波材料具有更好的力学性能和介电性能,其弯曲强度、断裂韧性、介电常数和介电损耗分别为238 MPa、3.35 MPa·m1/2、3.7和4.7×10-3。
关键词:BNp/Si3N4;BNw/Si3N4;气压烧结;性能