朱冠宇，冯福中，郭华强，张 鑫，王延庆

(中国矿业大学材料科学与工程学院，江苏 徐州 221116）

摘 要：在给出SiC坩埚在微波场内温度与时间的理论升温速率方程的基础上，建立了SiC坩埚在微波场中的数学模型，采用COMSOL 有限元软件中的射频模块，进行了多物理场耦合情况下SiC坩埚在微波场内的升温特性的数值计算，得到了温度在空间与时间上的分布图，并对模拟结果进行了分析。分析表明：SiC坩埚在微波场内可以实现体加热，获得均匀的温度分布，而且可以获得较高的升温速率和较高的温度。为借助SiC坩埚加热非吸波材料的升温过程设计提供了依据。

关键词：微波加热；SiC坩埚；升温特性；数值模拟