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SiC -TiB 2-TiC x 复相陶瓷的氧化行为研究

孙红亮 孙才 朱德贵

（西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室，四川成都610031）

摘要：本文采用热等静压原位合成技术制备了TiB2- TiCx和SiC- TiB2- TiCx复相陶瓷，对其高温氧化行为进行了研究。结果表明，添加SiC 后陶瓷材料抗氧化性有很大提高。SiC- TiB2- TiCx陶瓷的最高有效抗氧化温度为1200℃，而TiB2- TiCx陶瓷只有700℃。在温度低于1200℃时，SiC- TiB2- TiCx陶瓷的长时间抗氧化性能也优于TiB2- TiCx陶瓷。

关键词：复相陶瓷；抗氧化性；原位观察


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2011.04.019

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