朱泉峣¹　靳艾平¹  陈文¹ Victor Volkov²  Galina Zakharova²

( 1. 武汉理工大学材料科学与工程学院, 430070)

(2. 俄罗斯科学院乌拉尔分院固态化学研究所, Ekaterrinburg, 91, 620219 俄罗斯)

摘要：将吡咯衍生物单体( 碘化N,N,N- 三甲基-(2- 吡咯-1- 乙基)) 进行氧化聚合, 合成水溶性聚吡咯衍生物, 将该产物与V₂O₅溶胶混合, 进行聚合物溶液插层反应, 合成聚(N,N,N- 三甲基-( 2- 吡咯-1- 乙基) ) ( PTPAI) /VXG 复合薄膜。采用电化学阻抗谱( EIS) 和循环伏安(CV) 对其电学性能进行了测试。结果表明: 该复合薄膜的等效电路为R₁(Q₁[R₂W₁]), R_s=160.215 Ω, R_ct=6278.86 Ω, 双电层电容CPE=1.73216×10^-4 F, 离子迁移系数4.37×10^-12cm²/s (-0.5V)。PTPAI 提高了VXG 的氧化还原电位, 且出现另一个较小的氧化还原峰电位。

关键词: VXG, PPY 衍生物, 电性能, 交流阻抗谱, 循环伏安