王 刚， 赵世柯， 江 莞
( 中国科学院上海硅酸盐研究所,
＊清华大学)
摘 要：阐述了二硅化钼材料低温氧化机理, 对以往几种抗低温氧化的方法进行了评述。在此基础上, 根据二硅化钼低温氧化的机理, 提出了用复合组织设计的方法, 通过选择添加第二相使其分布于二硅化钼材料一维晶界处, 形成网状的显微组织结构, 来达到改善其抗低温氧化性能的设想, 初步研究结果表明此方法是有效的。
关键词：二硅化钼, 复合组织设计, 低温氧化