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温度对碳热还原合成SiC晶须的影响

万隆 李德意 刘文超 魏坤 唐绍裘

(湖南大学)

摘要：以工业硅溶胶和碳黑为主要原料,用溶胶一凝胶和碳热还原法进行了合成SiC晶须的试验,探讨了合成温度对产物组成微观形貌的影响。结果表明:合成SiC晶须适合的温度为1600℃,在此条件下得到的产物中SiC晶须含量最高(74%以上)、质量最好。

关键词：溶胶一凝胶 ,碳热还原反应,温度, SiC晶须


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2001.04.003

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