孟祥森， 宋晨路， 余京松， 葛曼珍， 杨 辉
( 浙江大学)
摘 要：本实验用常压化学气相沉积法( APCVD) 在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜, 研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响, 发现在700℃以下, NH3/ SiH4 流量比例为15/1 时制得较纯的氮化硅薄膜, 比常规APCVD 法制备温度低大约150 ℃。
关键词：氮化硅, 薄膜, APCVD