张海军 赵国刚
（黑龙江科技学院材料科学与工程学院，哈尔滨：150027）
摘要：通过热蒸发气相沉积的方法成功合成了高产量的ZnO 一维纳米线。合成的纳米线平均直径50nm，长度达数微米。X 射线衍射谱和能量散射X 射线谱结果表明合成的产物是成分单一的纤锌矿结构，纳米线的生长归因于汽- 固生长机制。合成的产物在纳米光电子学领域有着重要的应用前景。
关键词：氧化锌，半导体，纳米线，气相沉积