曲铭浩 胡跃辉 冯景华 谢耀江 王立富

（景德镇陶瓷学院，景德镇：333001）

摘要:在较低衬底温度下，通过磁控溅射得到的非晶态Ta₂O₅ 薄膜，在氧气氛750℃条件下进行化学热退火，得到晶化的Ta₂O₅ 薄膜，其相对介电常数为34.3，漏电流密度小于10- 7A/cm²。电容量测试时，为了较好地消除高温退火时产生的SiO₂ 的介质层对电容测试值的影响，用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属- 绝缘体- 金属（MIM）结构的电容器，对这些电容器的电容测试数据，进行Sigmoidal 拟合，得到极限电容，从而计算出Ta₂O₅ 薄膜的介电常数。

关键词:氧化钽薄膜，介电常数，漏电流密度