王立富1 胡跃辉1 张祥文1 陈光华2 曲铭浩1 谢耀江1
（1.景德镇陶瓷学院，景德镇：333001；2.北京工业大学材料学院，北京：100022）
摘要：通过紫外- 可见透射谱技术，计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值，研究了a- Si∶H 薄膜的厚度均匀性；通过对紫外- 可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析，研究了a- Si∶H 薄膜的结构均匀性。研究发现对于单磁场线圈MWECR CVD 系统，ECR 区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀，是影响a- Si∶H 薄膜均匀性的主要原因。通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法，采用HW-MWECR CVD 系统，在直径为6cm 的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5％的a- Si∶H 薄膜。
关键词：HW-MWECR 沉积系统，均匀性，氢化非晶硅薄膜