逄婷婷 付正义 张东明
( 武汉理工大学)
摘 要:利用放电等高子烧结技术制备纯TiB2 陶瓷, 烧结温度1600 ℃, 压力30MPa, 真空烧结, 保温1 ～ 3 分钟, 即可获得相对密度达99 %以上的致密烧结体。扫描电镜分析表明:烧结体晶粒细小, 结构均匀;材料的晶粒随烧结温度的提高而长大;但烧结体的硬度分布不均匀。
关键词:TiB2 陶瓷, 放电等离子烧结, 致密, 硬度