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Ag NWs @SH-GO 复合透明导电薄膜的制备与电学性能

王 迪,陈义川,胡跃辉,张志秦,高 皓,刘辉文,高友良

(景德镇陶瓷大学 机械电子工程学院,江西 景德镇 333403)

摘 要:针对银纳米线透明导电薄膜(Ag NWs-TCFs)电阻高、电学稳定性差的问题,利用巯基乙胺的巯基与氧化石墨烯枝接,自组装成巯基化氧化石墨烯(SH-GO),并通过SH-GO 官能团与Ag NWs 结合,制备了Ag NWs @SH-GO 复合透明导电薄膜。结果显示,当SH-GO 浓度为3 mg/mL 时,Ag NWs @SH-GO 复合透明导电薄膜的方块电阻为8.6 Ω/sq,光透过率大于85%(波长550 nm);将其置于空气中60 d 后,方块电阻增加率仅为8.66%,表现出优异的环境稳定性;将样品弯曲1000 次以后,方块电阻低于50.0 Ω/sq,具有良好的机械抗弯曲性能。

关键词:巯基化石墨烯;透明导电薄膜;电学性能稳定性


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2021.05.010

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