何强1, 2，聂京凯1，韩钰1，耿进锋3，崔建业4，田一1，秘立鹏5
(1. 国网智能电网研究院有限公司，北京 102209；2. 华北电力大学能源动力与机械工程学院，北京 102206；3. 国网河南省电力科学研究院，河南 郑州 450052；4. 国网浙江省电力有限公司金华供电公司，浙江 金华 321000；5. 国网内蒙古东部电力科学研究院，内蒙古 呼和浩特 010020)
摘 要：制备了Ge4+掺杂的(K0.4825Na0.4825Li0.035)(Nb0.8Ta0.2)O3(KNLNT)无铅压电陶瓷，详细研究了Ge4+掺杂对KNLNT陶瓷烧结和电性能的影响。研究表明，Ge4+离子掺杂可以降低KNLNT陶瓷的烧结温度、抑制碱金属元素的挥发，特别是Li元素的挥发；Ge4+离子作为受主掺杂，占据钙钛矿结构的B位，有利于Li+进入钙钛矿结构及提高成分的均匀性；当Ge4+离子掺杂量为0.2%时，KNLNT陶瓷具有较好的烧结性能和压电性能，其压电常数d33约为220 pC•N−1。这些结果为制备烧结性能和压电性能良好的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷提供了参考。
关键词：无铅压电陶瓷；铌酸钾钠；低温烧结；受主掺杂