孙孟勇，曲俊峰，房海荣，李国斌，王雯龙，王洪林，郭  敏，尹  飞

(内蒙古金属材料研究所，内蒙古 包头 014000)

摘  要：为探究界面类型对碳化硅(SiC)陶瓷抗冲击性能的影响，制备了三种不同界面类型的SiC陶瓷，利用扫描电镜对材料进行了界面失效分析，利用分离式霍普金森杆对动态力学行为进行分析。结果表明：液相烧结L-SiC以弱界面为主，失效模式以沿晶断裂为主；固相烧结S-SiC以强界面为主，失效模式以穿晶断裂为主；反应烧结R-SiC以脆性界面为主，失效模式以脆性相断裂及沿晶断裂为主。三种SiC陶瓷均呈现显著的应变率强化效应，动态强度随应变率升高而提升。其中，S-SiC动态强度最高至3050 MPa，L-SiC因弱界面增加了裂纹偏转，提升了失效应变，在2000 s⁻¹时损耗能量达7.4%；SiC陶瓷动态失效可分为初始加载、应变硬化—损伤积累和粉碎失效阶段，研究成果为SiC陶瓷在防护领域的应用提供了数据支撑。

关键词：碳化硅；界面类型；应变率效应；动态损伤