余  峰，卢剑茹，陈  婧，程  磊，万  萍，杨莉莎

(景德镇陶瓷大学，江西 景德镇 333403)

摘  要：本文通过IncoPat专利数据库检索，对1960～2025年全球及中国碳化硅陶瓷技术的专利情况进行了对比分析，并对中国碳化硅陶瓷在半导体、复合材料、环保化工应用等方面的专利技术发展进行了深入分析。研究表明，全球碳化硅陶瓷技术已进入快速扩张期，专利数量呈现爆发式增长，形成以半导体器件(H01L)和晶体生长(C30B)为双核心的技术体系。中国、日本和美国构成全球专利布局的第一梯队，呈现出“日本控上游、中国强中游、欧美布体系”的差异化竞争格局。从中国发展来看，碳化硅陶瓷专利数量持续快速增长，总数量已跃居全球首位，已然形成了以企业为创新主体、学研机构协同参与的发展模式，但在高价值专利数量、产业链覆盖范围、区域技术均衡发展、产学研协同等方面与国外相比还存在一定的短板。基于上述分析，本文从推动专利质量提升、优化全链条技术布局、促进区域协同创新、强化产学研融合机制等方面，为中国碳化硅陶瓷产业实现从技术追随到局部领先的战略转型提出了对策建议。

关键词：碳化硅陶瓷；IncoPat专利数据库；专利分析；发展趋势