罗宏斌，周建震，肖月朗

(景德镇陶瓷大学 机械电子工程学院，江西 景德镇 333403)

摘 要：为改善Si₃N₄微波介质陶瓷介电常数低，不能满足某些毫米波需求的问题，探究掺杂不同质量分数TiN 对热压烧结Si₃N₄微波介质陶瓷介电性能的影响。采用粉碎球磨一体式混料机对原料进行混合，经热压烧结制成实验样品，使用SEM 和射频阻抗分析仪分别对样品的微观结构及介电常数、介电损耗进行测定，分析样品微观结构、介电常数、介电损耗的变化，总结出掺杂TiN 含量与Si₃N₄ 微波介质陶瓷性能的内在联系。结果表明，随着TiN 质量分数的增加，介电常数不断增加，在TiN 质量分数为10 wt.%，频率为5×108 Hz 时可达到11.9，介电损耗有所升高，都维持在0.005 以下，相比于传统微波介质材料在介电性能上有较大的提升。

关键词：掺杂；TiN；热压烧结；Si₃N₄微波介质陶瓷；介电性能