光固化工艺参数对氮化硅陶瓷成型性能的影响
作者: 占丽娜,刘耀,胡文,王斌,刘绍军编辑:qkzzs发布时间:2024-02-01点击:

占丽娜 1,刘 耀 1,胡 文 1,王 斌 1,刘绍军 2
(1. 萍乡学院 机械电子工程学院,江西 萍乡 337055;2. 中南大学 粉末冶金研究院,湖南 长沙 410083)

摘 要:光固化工艺参数是影响光固化成型质量的重要因素。本文重点讨论了光固化工艺参数中的曝光时间、脱脂参数对光固化 Si3N4 陶瓷成型性能的影响。实验表明:当固相含量为45vol.%、曝光时间为 10s 时,成型出单层固化精度为 IT7级的氮化硅坯体。低温脱脂时,当脱脂速率为 0.1 ℃/min 时,获得无裂纹的试样坯体。
关键词:光固化;氮化硅陶瓷;固相含量;曝光时间;脱脂参数

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