​全银体系LTCC基板制备的质量控制及性能研究
作者: ​孔 帅,赖登攀,王 正,宋晓燕,廉 礴,吴艳兵编辑:qkzzs发布时间:2025-12-01点击:

孔  帅,赖登攀,王  正,宋晓燕,廉  礴,吴艳兵

(上海航天电子有限公司 上海 201821)

摘  要:为解决全银体系低温共烧陶瓷(LTCC)基板制备面临的填孔凸起、基板翘曲等质量问题,本文以国产化全银体系LTCC基板为对象,针对填孔、烧结两大工序提出针对性的改进措施,并对优化工艺后的基板进行管壳封装性能验证。结果表明:通过采用微凹陷填孔工艺,并辅助优化烧结温度的方法,成功制备了平整度最优可达0.1%的全银体系基板。经基板电性能及管壳封焊测试,银体系基板导体方阻较同批次金体系下降59.5%,围框焊接面IMC厚度可达1.2 μm,气密性测试指标可达8.16Í10‒10 Pa·cm3·s‒1。基板各项性能均能满足微波组件的工程应用要求,也为低成本电子封装技术提供了一条新的技术思路。

关键词:低成本,全银体系,LTCC,质量控制


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