刘文进，艾建平，苏晓瑄，吴雨龙，李文魁，程丽红
(江西科技师范大学，江西省材料表面工程重点实验室，江西 南昌330038)
摘 要：为了降低Bi2O3 和Sb2O3 因熔点低在烧结过程中的挥发程度，以及改善球磨法所得陶瓷样品的显微结构均匀性，实现1000 ℃以下烧结获得综合性能良好的ZnO 压敏陶瓷，选取综合性能良好的ZnO-Bi2O3 基础陶瓷配方，将其中的Bi2O3和Sb2O3 按照1︰1 物质的量比例预合成，按传统电子陶瓷工艺制备压敏陶瓷，并与传统配料方式制备获得的样品作对比。结果表明：Bi2O3 和Sb2O3 预合成的样品比未预合成的样品气孔少、致密度较高、粒径分布更加均匀，压敏电压460-600V/mm，非线性系数40-60，漏电流低于1 μA。研究结果有望为多层片式ZnO 压敏元件实现纯银内电极共烧提供实验依据。
关键词：ZnO；压敏陶瓷；显微结构；电性能