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In-Nb 复合半导体氧化物Cl₂ 敏感特性的研究

赵文杰 1 ,施云波 2,3 ,修德滨 3 ,雷廷平 1 ,冯侨华 3,王立权 2

(1、哈尔滨理工大学应用科学学院,哈尔滨:150080;

2、哈尔滨工程大学机械工程博士后科研流动站,哈尔滨:150001;

3、哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院,哈尔滨:150080)


摘  要: 以检测Cl₂ 为目标,采用恒温化学共沉积法合成了 In-Nb 复合半导体氧化物,并研究了其气体传感器的制作方法,分析了 In-Nb 气敏材料的微观特性和敏感特性,探讨了气敏机理。实验证明,In-Nb 材料具有良好的Cl₂ 敏感特性。

关键词: In2O3,Nb2O5,气敏特性,氯气传感器


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2008.03.014

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