严继康， 甘国友， 孙加林， 陈敬超
（昆明理工大学）
摘 要：采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷（PZN－PMS－PZT）。考察了不同剂量锰掺杂对压电陶瓷的室温介电常数（εTr ）、介电常数温度谱以及居里温度（Tc）的影响。实验结果表明：随着Mn 含量的增加压电陶瓷的室温介电常数εTr 减小；由于内偏置场的影响居里温度Tc 随锰含量的增加而增加。
关键词：压电陶瓷介电性能居里温度内偏置场