张元松，钟 敏，张 静，燕周民

(贵州振华红云电子有限公司，贵州 贵阳 550018)

摘 要：采用固相烧结法制备了A 位和B 位掺杂的PZT 压电陶瓷。通过XRD 分析了两个体系的相结构，并研究了A 位和B 位掺杂量对体系介电、压电性能的影响。研究表明：体系组分的相结构均为单一的钙钛矿结构；A 位掺杂组分的准同型相界向富锆区域移动，B 位掺杂组分的准同型相界向富钛区域移动；A 位和B 位等量各掺杂到组分中，A 位掺杂组分的介电和压电性能要比B 位掺杂组分的性能要好。两种组分具有典型的介电驰豫特性，A 位掺杂组分的居里温度要比B 位掺杂的居里温度要高，且热稳定性要比B 位掺杂组分好。

关键词：PZT 压电陶瓷；A 位和B 位掺杂；介电和压电性能；介电驰豫特性；热稳定性