A 位和B 位掺杂PZT 压电陶瓷的性能对比分析
作者: 张元松,钟 敏,张 静,燕周民编辑:qkzzs发布时间:2020-10-01点击:

张元松,钟 敏,张 静,燕周民

(贵州振华红云电子有限公司,贵州 贵阳 550018)

摘 要:采用固相烧结法制备了A 位和B 位掺杂的PZT 压电陶瓷。通过XRD 分析了两个体系的相结构,并研究了A 位和B 位掺杂量对体系介电、压电性能的影响。研究表明:体系组分的相结构均为单一的钙钛矿结构;A 位掺杂组分的准同型相界向富锆区域移动,B 位掺杂组分的准同型相界向富钛区域移动;A 位和B 位等量各掺杂到组分中,A 位掺杂组分的介电和压电性能要比B 位掺杂组分的性能要好。两种组分具有典型的介电驰豫特性,A 位掺杂组分的居里温度要比B 位掺杂的居里温度要高,且热稳定性要比B 位掺杂组分好。

关键词:PZT 压电陶瓷;A 位和B 位掺杂;介电和压电性能;介电驰豫特性;热稳定性


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